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PTVSHC3N7VU-HXY

单线路单向瞬态电压抑制器

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描述: 本产品是一款用于静电和浪涌保护的高性能器件，适用于需要稳定信号传输的电子设备。其主要参数包括：峰值脉冲电流IPP为240A，能够有效吸收瞬态大电流；反向工作电压VRWM为7.5V，适合低电压线路保护；结电容CJ为1700pF，确保信号完整性；支持2通道保护，采用单向（Uni）设计，响应速度快、钳位性能优异，可广泛应用于通信接口、消费类电子产品及便携设备中，为电路提供可靠防护。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PTVSHC3N7VU-HXY
商品编号: C49423283
商品封装: DFN-3L(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.021141克(g)

商品参数

商品概述

PTVSHC3N7VU TVS二极管专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）而设计。它具有出色的电气特性，如低钳位电压、低漏电流和高浪涌能力。该二极管旨在保护连接到电源线的敏感电子元件，使其免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击造成的过应力影响。 PTVSHC3N7VU采用DFN2X2 - 3L封装，可保护一条单向线路。根据IEC61000 - 4 - 2标准，它可提供高达±30kV（接触和空气放电）的ESD保护；根据IEC61000 - 4 - 5标准，它可承受高达180A（8/20μs）的峰值脉冲电流。

商品特性

高速数据线瞬态保护：IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气）
±30kV（接触）
峰值功耗：6000W（8/20μs）
工作电压：7.5V
低漏电流
低钳位电压
超小封装（2.0mmx2.0mmx0.5mm）
固态硅雪崩技术

应用领域

-电源线-个人数字助理(PDA)-基于微处理器的设备-笔记本电脑、台式电脑和服务器-手机及配件-便携式电子设备-外设

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	7.5V
	钳位电压	25V
	峰值脉冲电流(Ipp)	240A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	6kW@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压	9V
	反向电流(Ir)	1uA
	工作温度	-55℃~+125℃
	类型	TVS
	Cj-结电容	1700pF