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SCT3022KLHRC11-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为81A，漏源耐压（VDSS）达到1200V，导通电阻（RDON）仅为21mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统整体效率。器件采用优化设计，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于高频电源、储能设备、电机驱动以及各类精密电子装置中的功率控制电路。
- 商品型号
- SCT3022KLHRC11-HXY
- 商品编号
- C49420503
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.8mΩ |