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SC021N120T8L-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）采用宽禁带半导体材料，具备优异的功率处理能力与高效的开关性能。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为81A，漏源击穿电压（VDSS）高达1200V，导通电阻（RDON）低至21mΩ，显著降低导通损耗并提升系统效率。该器件具有良好的热导率和耐高温特性，适用于高频率、高效率电源转换、储能系统、电机控制及高性能电子设备中的功率电路设计，为复杂电路应用提供稳定可靠的解决方案。
- 商品型号
- SC021N120T8L-HXY
- 商品编号
- C49423280
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.8mΩ |
- NVH4L022N120M3S-HXY
- DMWSH120H28SM4Q-HXY
- PTVSHC3N7VU-HXY
- B-2100S07P-A110
- B-2100S09P-A110
- B-2100S11P-A110
- B-2100S12P-A110
- B-2100S13P-A110
- B-2100S14P-A110
- B-2100S16P-A110
- B-2100S17P-A110
- B-2100S18P-A110
- B-2100S19P-A110
- B-2100S22P-A110
- B-2100S23P-A110
- B-2100S24P-A110
- B-2100S25P-A110
- B-2100S30P-A110
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- B-2100S18P-B110
- B-2100S22P-B110