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DMWSH120H28SM4Q-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为81A，导通电阻RDON低至21mΩ，能够有效降低导通损耗，提升系统效率。碳化硅材料的运用使其在高频、高压、高温环境下仍能稳定工作，适用于电源转换、高效能电力控制及高密度功率模块等场景，为复杂电路设计提供更高灵活性和可靠性。
- 商品型号
- DMWSH120H28SM4Q-HXY
- 商品编号
- C49423282
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ |
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