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NTH4L020N120SC1-HXY
NTH4L020N120SC1-HXY
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。漏极电流ID可达81A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，适用于高功率密度电源系统。导通电阻RDON低至21毫欧，显著减少导通损耗，提升整体效率。器件适用于高频开关电源、高效能变换器及要求严苛的电力电子设备，满足对性能与可靠性兼具的应用需求。
- 商品型号
- NTH4L020N120SC1-HXY
- 商品编号
- C49420504
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 162nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ |