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NTMFS5C673NLT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如直流变换器、电池管理系统、电机驱动电路及高效能适配器等场景。器件设计注重稳定性和耐用性，可满足多种环境下的开关与控制需求，适合用于对效率与可靠性有较高要求的电子设备中。
- 商品型号
- NTMFS5C673NLT1G-HXY
- 商品编号
- C49420501
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
NTMFS5C673NLT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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