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SCT3022KLGC11-HXY
SCT3022KLGC11-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电气性能，适用于多种高要求的电子设备。其主要参数包括：最大漏极电流（ID）为81A，漏源击穿电压（VDSS）高达1200V，导通电阻（RDON）低至21mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适用于电源转换、电机控制、储能系统及高性能计算设备中的开关电路设计。封装形式可根据具体需求进行选择，以满足不同应用场景下的散热与空间限制要求。
- 商品型号
- SCT3022KLGC11-HXY
- 商品编号
- C49420502
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 81A | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.818nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.8mΩ |