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SIR4604LDP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效能场景。其漏极电流ID可达65A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、转换器、电池保护电路及高密度电力电子设备中的开关应用。封装形式可根据需求适配不同场景，满足多样化设计要求。
- 商品型号
- SIR4604LDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49420500
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
SIR4604LDP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V
- ID = 65 A
- RDS(ON) < 11 mΩ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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