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NVMFS5C673NLAFT3G-HXY
N沟道 60V 65A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高稳定性的特点，适用于多种复杂电路环境。其主要参数包括：漏源击穿电压（VDSS）为60V，最大连续漏极电流（ID）可达65A，导通电阻（RDON）低至8mΩ，能够有效减少功率损耗并提升导通效率。器件结构优化，响应速度快，适合应用于高效电源转换、电池管理系统、负载开关控制以及各类中高功率电子设备中，满足对性能与可靠性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- NVMFS5C673NLAFT3G-HXY
- 商品编号
- C49420499
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
NVMFS5C673NLAFT3G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 65 A
- 导通电阻RDS(ON) < 11 mΩ，栅源电压VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源