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FDD6676AS-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源电压（VDSS）和高达80A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为5毫欧，具备优异的导电性能与较低的工作损耗。该器件适用于高电流、高效率的开关电路设计，可广泛用于电源转换器、电池管理系统、电动工具及各类中高功率电子设备中的功率控制与能量传输环节，满足对稳定性和可靠性较高要求的应用场景。
- 商品型号
- FDD6676AS-HXY
- 商品编号
- C49420493
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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