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DMNH6012SPSQ-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有65A的连续漏极电流能力和60V的漏源击穿电压，导通电阻RDON典型值为8毫欧。器件具备优异的开关特性和较低的导通损耗，适用于多种中高功率电源变换应用，如高效电源适配器、电池管理系统及直流变换设备。采用成熟封装与制造工艺，确保良好的热稳定性和长期工作可靠性，适合用于电机控制、负载开关以及各类智能家电中的功率电路设计，提供稳定的电气性能和耐用性。
- 商品型号
- DMNH6012SPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C49420495
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |