温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVMFS5C673NLAFT1G-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），漏源电压VDSS为60V，连续漏极电流ID可达65A，导通电阻RDON典型值为8毫欧。该器件具备优异的开关性能和较低的导通损耗，适用于多种电源转换系统，如高效能适配器、充电设备及储能控制系统。采用稳定工艺制造，确保良好的热稳定性与长期可靠性，可广泛应用于直流变换器、电机驱动电路及智能家电中的功率开关场景，提供稳定的电气表现和耐用性。
- 商品型号
- NVMFS5C673NLAFT1G-HXY
- 商品编号
- C49420494
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |