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AOSP32368
N沟道 30V 18A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的导通性能和快速开关特性。其漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至5mΩ，有助于降低导通损耗并提高系统效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及高密度电力电子设备中的高效能控制场景，满足高性能电路设计对稳定性和效率的严苛需求。
- 商品型号
- AOSP32368
- 商品编号
- C49420484
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
AOSP32368采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 18A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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