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UPA2720GR-E1-A-HXY
N沟道 30V 18A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的连续漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率应用场景。其导通电阻低至5mΩ，有助于减少导通状态下的能量损耗，提高整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源转换、开关控制、负载调节等电路模块，为电子设备提供高效可靠的电力支持。
- 商品型号
- UPA2720GR-E1-A-HXY
- 商品编号
- C49420488
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
IRF7805TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V，漏极电流 = 15A
- 栅源电压 = 10V 时，漏源导通电阻 < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源