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FDS6676S-HXY
N沟道 30V 18A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通性能与开关特性。其漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，确保在中高功率应用中的稳定运行。导通电阻RDON低至5mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电子设备中，满足对小型化与高效能有要求的电路设计需求。
- 商品型号
- FDS6676S-HXY
- 商品编号
- C49420490
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |