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RJK0354DSP-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力和30V的漏源击穿电压，适用于多种中高功率电路场景。器件导通电阻低至5mΩ，显著降低导通损耗，提升整体效率。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源适配器、储能系统、便携式电子设备及高性能计算模块中的开关与控制电路设计。
- 商品型号
- RJK0354DSP-HXY
- 商品编号
- C49420491
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111458克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |