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IRFR3709ZTRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）与80A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为5毫欧，可支持高效率功率转换。其低导通电阻和高电流承载能力有助于降低导通损耗，提升整体系统性能。器件采用N沟道结构，适用于多种高功率开关应用，如电源适配器、储能系统、电动设备及各类电子负载中的直流控制与能量传输电路，为高性能电源设计提供稳定支持。
- 商品型号
- IRFR3709ZTRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49420492
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
IRFR3709ZTRLPBF采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 80 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 6.8 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源