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IRF8113GPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流容量和30V的漏源电压耐受能力，适用于多种中高功率电子电路。其导通电阻仅为5mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统能效。器件采用成熟封装技术，具备良好的散热性能与长期工作稳定性，适用于电源管理、开关变换、电机控制及各类电子设备中的功率调节模块，为电路设计提供高效、可靠的支持。
- 商品型号
- IRF8113GPBF-HXY
- 商品编号
- C49420489
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
FQD19N10TM采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 18A
- VGS = 10V 时,RDS(ON) < 6.5mΩ
- VGS = 4.5V 时,RDS(ON) < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源