温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4498
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，持续漏极电流ID可达18A，漏源电压VDSS为30V，适用于中高功率场合。导通电阻RD(on)低至5mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及各类电子设备中的电能转换与调节模块。
- 商品型号
- AO4498
- 商品编号
- C49420487
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
AO4498采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 18A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 6.5mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 12mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源