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SI4156DY-T1-GE3-HXY
N沟道 30V 18A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有18A的漏极电流能力，漏源耐压为30V，导通电阻低至5mΩ，适用于需要高效开关与稳定性能的电源系统。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和高可靠性，可广泛应用于DC-DC转换器、功率调节模块、电池管理系统及各类精密电子设备中，满足多样化电路设计对效率与性能的高要求。
- 商品型号
- SI4156DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49420485
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
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