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IRF8113TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具备18A连续漏极电流能力，漏源电压额定值为30V，导通电阻仅为5mΩ，支持高效、低损耗的功率切换与控制。器件基于高密度沟槽工艺打造，优化了开关速度与导通压降表现，适用于各类电源变换装置、高性能计算设备供电模块、储能系统管理电路以及对空间与效率有较高要求的电子装置中，满足现代电路设计对稳定性和集成度的需求。
- 商品型号
- IRF8113TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420486
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1105克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
IRF8113TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 18A
- RDS(ON) < 6.5mΩ（VGS = 10V时）
- RDS(ON) < 12mΩ（VGS = 4.5V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源