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IRF7311TRPBF-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述: 本款N+N沟道场效应管（MOSFET）具备20V的漏源击穿电压（VDSS）与21mΩ的导通电阻（RDON），可持续承载最高6A的漏极电流（ID）。该器件内部集成双N沟道结构，有助于简化外围电路设计并提升开关效率。其低导通电阻有效减少导通损耗，适用于电源转换、负载开关、电池管理及小型电机控制等应用场景，特别适合对体积与效率有要求的消费类电子和便携式设备使用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF7311TRPBF-HXY
商品编号: C49420482
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.114141克(g)

商品参数

IRF7311TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。