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SI7884BDP-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通性能与开关特性。其漏极电流ID可达55A，漏源击穿电压VDSS为40V，适用于中高功率电源转换场合。导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高效能电子设备中，为电路设计提供灵活且高效的解决方案。
- 商品型号
- SI7884BDP-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49420481
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；6.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.509nF |
商品概述
SI7884BDP-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 55 A
- RDS(ON) < 8.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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