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SI4686DY-T1-E3-HXY
N沟道 30V 15A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件在导通状态下具有较低的电阻，有助于减少功率损耗并提升系统效率。适用于各类中高功率电源管理应用，如DC-DC转换器、同步整流电路、电池保护模块及高性能计算设备中的功率控制单元，满足对效率与空间布局有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- SI4686DY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C49420474
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
优惠活动
购买数量
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