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RD3P100SNFRATL-HXY
N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS，适用于多种中高压功率应用场合。导通电阻RDON为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。器件采用稳定可靠的制造工艺，具有良好的热性能与耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。其参数特性可满足多数常规功率设计需求，适用于广泛领域的电路设计方案。
- 商品型号
- RD3P100SNFRATL-HXY
- 商品编号
- C49420479
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.370352克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |