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RD3P100SNFRATL-HXY
RD3P100SNFRATL-HXY
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- 描述
- 本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS，适用于多种中高压功率应用场合。导通电阻RDON为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。器件采用稳定可靠的制造工艺，具有良好的热性能与耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。其参数特性可满足多数常规功率设计需求，适用于广泛领域的电路设计方案。
- 商品型号
- RD3P100SNFRATL-HXY
- 商品编号
- C49420479
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.370352克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
RD3P100SNFRATL采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器
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