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RD3P100SNTL1-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS达100V，适用于中高压功率转换场景。导通电阻RDON为100mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统整体效率。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、开关电路、电池供电设备及消费类电子产品中的功率控制应用。其性能参数可满足多种常见功率设计需求，适用于多类通用电子系统的开发与实现。
- 商品型号
- RD3P100SNTL1-HXY
- 商品编号
- C49420480
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3705克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
RD3P100SNTL1采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 15 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 112 mΩ
应用领域
- 电源开关
- 直流-直流转换器
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