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DMN3053L-7-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的开关特性和导通能力，适用于多种电源管理与转换场景。其最大漏极电流ID为5A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中低功率应用中的稳定运行；导通电阻RDON仅为33毫欧，有效降低导通损耗，提高整体效率。器件结构设计优化，具备良好的温度特性和耐用性，可广泛用于消费类电子产品、便携式充电设备、小型电源模块及各类精密电子装置中的开关控制电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMN3053L-7-HXY
商品编号: C49420478
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

DMN3053L-7采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。