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AOSP32314
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至7.5mΩ。该器件适用于需要高效能开关和功率控制的场景，广泛用于电源管理、充电控制、DC-DC转换以及各类电子设备中的功率调节模块，具备良好的热稳定性和响应速度，能够满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- AOSP32314
- 商品编号
- C49420476
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
- SI2336DS-T1-GE3-HXY
- DMN3053L-7-HXY
- RD3P100SNFRATL-HXY
- RD3P100SNTL1-HXY
- IRF7311TRPBF-HXY
- AO4576
- AOSP32368
- IRF8113TRPBF-HXY
- AO4498
- IRF8113GPBF-HXY
- FDS6676S-HXY
- RJK0354DSP-HXY
- IRFR3709ZTRLPBF-HXY
- NVMFS5C673NLAFT1G-HXY
- DMNH6012SPSQ-13-HXY
- NVMFS5C673NLAFT3G-HXY
- SIR4604LDP-T1-GE3-HXY
- NTMFS5C673NLT1G-HXY
- PMV27UPER-HXY
- 6090002
- 6cm-10m-j