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SI2336DS-T1-GE3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于需要高效开关性能的各类电子设备。其主要参数包括：漏极电流ID为5A，漏源电压VDSS最大可达30V，导通电阻RDON低至33毫欧，有助于降低功耗并提升系统效率。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于电源管理、适配器、充电器及小型电动设备等领域的高频开关电路中。
- 商品型号
- SI2336DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49420477
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
SI2336DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 42mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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