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SI4822DY-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：最大漏极电流ID为15A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON为7.5mΩ。该器件具备较低的导通损耗，适用于多种功率管理场景，如电源适配器、便携式储能设备、智能家电控制电路以及通信设备中的开关电源部分。其高效率和小型化特性支持复杂电子系统在性能与空间设计上的优化需求。
- 商品型号
- SI4822DY-HXY
- 商品编号
- C49420475
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
- AOSP32314
- SI2336DS-T1-GE3-HXY
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- NVMFS5C673NLAFT3G-HXY
- SIR4604LDP-T1-GE3-HXY
- NTMFS5C673NLT1G-HXY
- PMV27UPER-HXY
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- 6090002