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SP8K33FRATB-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道结构，具有良好的导通特性和开关性能。其主要参数包括：漏极电流ID为6.5A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON为32mΩ，适用于中功率电源转换与控制应用。该器件可在高频条件下稳定运行，降低能量损耗，提升系统效率。常用于电源管理模块、DC-AC逆变器、电机驱动电路及智能充电设备中的功率控制部分。其封装形式灵活，便于在多种电路环境中实现高效布板和良好散热。
- 商品型号
- SP8K33FRATB-HXY
- 商品编号
- C49256926
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品概述
SP8K33FRATB采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 6.5 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 36 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 48 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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