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IRFR2905ZTRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为11mΩ，支持高效功率传输与低发热运行。器件基于成熟半导体工艺设计，具备优良的热稳定性和耐用性，适用于多种电源管理场合，如开关电源、DC-DC转换模块、电池保护电路及高精度负载控制等，满足高频工作与紧凑布局的设计要求。
- 商品型号
- IRFR2905ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256935
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |