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C3M0040120J1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的电学性能，漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS达1200V，导通电阻RDON仅为40mΩ，支持高效、低损耗的电力传输。基于碳化硅材料的优势，该器件具备更高的热稳定性和开关效率，适用于高频率、高功率电源转换系统，如高效能适配器、储能设备、智能电网以及精密电子控制模块等应用场景。
- 商品型号
- C3M0040120J1-HXY
- 商品编号
- C49256953
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 带有独立驱动源引脚的优化封装
- 高阻断电压和低导通电阻
- 高速开关和低电容
- 具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流/直流转换器
- 开关模式电源