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NTBG040N120SC1-HXY
NTBG040N120SC1-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道场效应管（MOSFET），具备较高的电流承载能力和优异的导通性能。其最大漏极电流ID为68A，导通电阻RDON为40mΩ，可在高电压环境下实现较低的导通损耗。器件采用成熟工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于高频电源转换、高效能电力控制及各类高密度功率模块设计，满足多样化电子系统对效率与稳定性的需求。
- 商品型号
- NTBG040N120SC1-HXY
- 商品编号
- C49256946
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |