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STD2LN60K3-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为2A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为4200mΩ。该器件具备较高的耐压能力与良好的开关特性，适用于中功率电源转换、电池管理系统、智能照明控制及各类消费类电子设备中的功率控制电路。其性能稳定，能够满足多种通用型高压应用场景的技术需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
STD2LN60K3-HXY
商品编号
C49256948
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.377889克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))3.7Ω@10V
耗散功率(Pd)31W
阈值电压(Vgs(th))3.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.6nC@10V
输入电容(Ciss)322pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)38pF

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