温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD2LN60K3-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为2A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDON为4200mΩ。该器件具备较高的耐压能力与良好的开关特性，适用于中功率电源转换、电池管理系统、智能照明控制及各类消费类电子设备中的功率控制电路。其性能稳定，能够满足多种通用型高压应用场景的技术需求。
- 商品型号
- STD2LN60K3-HXY
- 商品编号
- C49256948
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |