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FQD2N60CTF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），可承载最大2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为4200mΩ。该参数组合使其适用于中功率开关电路、电源转换及小型电子设备中的高频整流和控制场景，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于各类需要高效能、小体积功率器件的设计中。
- 商品型号
- FQD2N60CTF-HXY
- 商品编号
- C49256949
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379397克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 322pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
FQD2N60CTF可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 650V，漏极电流ID = 2A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 5Ω
应用领域
适配器和充电器的电源开关电路。