AIMW120R060M1HXKSA1-HXY

AIMW120R060M1HXKSA1-HXY

描述

本款碳化硅（SiC）N沟道场效应晶体管（MOSFET）具有1200V的漏源耐压（VDSS）和40A的最大漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为60毫欧，具备优异的导电性能与低损耗特性。基于碳化硅材料的宽禁带半导体特性，该器件支持高频开关操作，同时减少开关损耗，提升整体系统效率。适用于高性能电源转换设备、新能源发电系统的功率调节模块以及高密度电源适配器等场景，为高效、小型化的电路设计提供可靠支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AIMW120R060M1HXKSA1-HXY

商品编号

C49256950

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)