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C2M0280120D-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式
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- 描述
- 本款碳化硅N沟道场效应管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS），支持7A连续漏极电流（ID），导通电阻为320mΩ（RDON），展现出优异的高压与高频工作性能。凭借碳化硅材料特性，该器件在高温、高频率环境下仍能保持稳定运行，适用于电源转换、无线充电、光伏逆变等高效率电路系统。其高耐压能力和良好的导电性能，使其成为高性能电力电子装置的理想选择。
- 商品型号
- C2M0280120D-HXY
- 商品编号
- C49256951
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 324pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 24pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ |
商品特性
- 第三代SiC MOSFET技术
- 优化的封装，带有独立的驱动源引脚
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容实现高速开关
- 快速本征二极管，反向恢复电荷Qrr低
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源