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SCT3040KW7TL-HXY
SCT3040KW7TL-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：漏极电流ID为68A，漏源击穿电压VDSS为1200V，导通电阻RDON为40mΩ。该器件适用于高电压和大电流工作环境，具备良好的导电性能和稳定的工作表现。可广泛应用于电源转换、电机控制、储能系统及高性能电子设备中，满足对效率与可靠性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- SCT3040KW7TL-HXY
- 商品编号
- C49256947
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.972克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |