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IRFR2405TRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流承载能力，漏源电压最大耐受为60V，导通电阻典型值为11mΩ，可有效降低功率损耗。器件基于成熟半导体工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种中高功率电子系统。可广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动电路及智能负载控制等场景，满足对效率与稳定性有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- IRFR2405TRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49256939
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
IRFR2405TRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 50A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源