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NVBG040N120SC1-HXY
NVBG040N120SC1-HXY
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有良好的导通特性和高效的开关表现。其额定漏极电流ID为68A，导通电阻RDON为40mΩ，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。该器件基于碳化硅材料设计，具备耐高压、耐高温及抗电磁干扰等特性，适用于高频率电力转换、高效能电源管理及高性能功率模块等多种应用场合，满足复杂电路对稳定性和可靠性的要求。
- 商品型号
- NVBG040N120SC1-HXY
- 商品编号
- C49256945
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
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