温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH6016LK3Q-13-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源击穿电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通状态下的漏源电阻低至11mΩ（RDON），可显著减少导通损耗，提升系统能效。器件采用优化设计，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高效率电源转换器、开关稳压电路、电池管理系统及各类便携式电子设备中的功率控制应用，满足对性能与尺寸均有较高要求的使用场景。
- 商品型号
- DMTH6016LK3Q-13-HXY
- 商品编号
- C49256942
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.363克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
DMTH6016LK3Q - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 50A
- RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐