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SCT3040KLGC11-HXY
SCT3040KLGC11-HXY
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- 描述
- 本款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和68A的最大漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至40毫欧，展现出优异的导电能力与低损耗特性。器件基于高性能半导体工艺，支持高效能开关应用，适用于高功率密度电源系统、新能源发电设备中的功率变换模块以及高效率适配器等场景，助力实现小型化与高效能并重的电路设计。
- 商品型号
- SCT3040KLGC11-HXY
- 商品编号
- C49256943
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.273333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 耗散功率(Pd) | 357W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.766nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ |
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