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IRLR2905ZTRLPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备60V的漏源耐压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至11mΩ（RDON），可有效降低导通损耗并提升系统效率。采用成熟稳定的制造工艺，确保器件在高负载条件下仍能保持良好性能。适用于电源管理、开关电路、负载开关及各类高效能转换设备中，满足对小型化与高可靠性要求较高的场景。
- 商品型号
- IRLR2905ZTRLPBF-HXY
- 商品编号
- C49256940
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V；11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
IRLR2905ZTRLPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 15mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源