温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AUIRFR2905ZTRL-HXY
N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至11mΩ，可实现高效、低损耗的功率控制。器件采用先进封装技术，具备良好的散热性能与可靠性，适用于各类电源系统，如开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统及高精度电机驱动电路，支持高频运行与紧凑型设计需求。
- 商品型号
- AUIRFR2905ZTRL-HXY
- 商品编号
- C49256936
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于低漏源导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- DC-DC转换器
- 电源管理功能