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AUIRLR2905ZTRL-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备50A连续漏极电流能力，漏源电压耐受值为60V，导通状态下漏源电阻低至11mΩ。器件采用优化设计，具备快速开关响应和低损耗特性，适用于多种电源转换及功率控制场景。其高可靠性与良好的热稳定性可满足复杂电路对性能的一致性要求，适合用于电源适配器、储能系统、智能家电以及精密仪器等电子设备中。
- 商品型号
- AUIRLR2905ZTRL-HXY
- 商品编号
- C49256938
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3635克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
AUIRLR2905ZTRL采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V ID = 50A
- RDS(ON) < 15mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源