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IRFR2405TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为11mΩ，在持续工作电流达50A的情况下仍能保持高效稳定运行。器件的漏源击穿电压为60V，适用于中高功率电源管理应用。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，可广泛用于各类电子设备中的开关电源、电机控制和负载管理等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- IRFR2405TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256937
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
IRFR2405TRPBF采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- V DS = 60V,I D = 50A
- R DS (ON) < 15mΩ(V GS = 10V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源