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IRFR2405TRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有低导通电阻特性，典型值为11mΩ，在持续工作电流达50A的情况下仍能保持高效稳定运行。器件的漏源击穿电压为60V，适用于中高功率电源管理应用。采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，可广泛用于各类电子设备中的开关电源、电机控制和负载管理等场景，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
- 商品型号
- IRFR2405TRPBF-HXY
- 商品编号
- C49256937
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3645克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.423nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
BSC028N06NS(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 BSC028N06NS(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 60V，在栅源电压（VGS） = 10V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 1.9mΩ（典型值）
- 在栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 2.6mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式电脑的电源管理
- DC/DC 转换