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DMC3025LSDQ-13-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备6A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至16mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用整合N沟道与P沟道的封装形式，便于构建对称或互补结构，适合应用于便携设备、适配器、电池管理系统及小型电源转换装置中的高频开关场景。整体设计兼顾性能与空间利用率，支持多样化电路集成需求。
- 商品型号
- DMC3025LSDQ-13-HXY
- 商品编号
- C49256930
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |