温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMC3025LSDQ-13-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备6A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与开关电路。导通电阻（RDON）低至16mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用整合N沟道与P沟道的封装形式，便于构建对称或互补结构，适合应用于便携设备、适配器、电池管理系统及小型电源转换装置中的高频开关场景。整体设计兼顾性能与空间利用率，支持多样化电路集成需求。
- 商品型号
- DMC3025LSDQ-13-HXY
- 商品编号
- C49256930
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；16mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V；1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V；13.8nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 255pF；760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF；95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；140pF |
商品概述
DMC3025LSDQ-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 6 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 22 mΩ
- VDS = -30V,ID = -5.5A
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 45 mΩ
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机