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SI2399DS-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承载连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）低至30毫欧，适用于需要高效功率控制的场景。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、便携式设备、DC-DC转换器及各类中低功率电路设计，为电路提供可靠的能量传输与控制能力。
- 商品型号
- SI2399DS-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256931
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025862克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
SI2399DS-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时，导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- ESD保护
应用领域
- PWM应用
- 负载开关