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SI2399DS-T1-BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源电压（VDSS）和5A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为30毫欧，适用于中低功率电源管理应用。器件基于成熟半导体工艺打造，具备良好的热稳定性与快速响应特性，适合用于DC-DC转换、负载开关、电池供电设备及各类中小型功率电路中，实现高效的能量控制与稳定的系统运行。
- 商品型号
- SI2399DS-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C49256932
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SI2399DS-T1-BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -5A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 60mΩ
- ESD等级:1500V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- SOT - 23
- P沟道MOSFET